
| Artículo | Propiedad técnica | ||
| Criptón de alta pureza GB/T5829-2006 | Criptón ultrapuro | ||
| Pureza de Kr (fracción de volumen)/10-2≥ | 99.999 | 99.9995 | 99.9999 |
| Nitrógeno (N2) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 2 | 1.5 | 0.2 |
| Oxígeno (O2) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 1.5(O2+Ar) | 0.5(O2+Ar) | 0.1 |
| Contenido de argón (Ar) (fracción de volumen)/10-6≤ | 0.05 | ||
| Hidrógeno (H2) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 0.5 | 0.2 | 0.05 |
| Contenido de monóxido de carbono (CO) (fracción de volumen)/10-6≤ | 0.3 | 0.1 | 0.05 |
| Dióxido de carbono (CO2) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 0.4 | 0.1 | 0.05 |
| Metano (CH4) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 0.3 | 0.1 | 0.05 |
| Agua (H2O) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 2 | 1 | 0.2 |
| Contenido de xenón (Xe) (fracción de volumen)/10-6≤ | 2 | 1 | 0.2 |
| Fluoruro (CF4) contenido (fracción de volumen)/10-6≤ | 1 | 0.2 | 0.05 |
Campo de aplicación: se utiliza principalmente en la industria de semiconductores, la industria del vacío eléctrico, la industria de fuentes de luz eléctrica, así como en gas láser, salud médica y otros campos.