
| Элемент | Техническая собственность | ||
| Криптон высокой чистоты ГБ/Т5829-2006 | Сверхчистый криптон | ||
| Чистота Kr (объемная доля)/10-2≥ | 99.999 | 99.9995 | 99.9999 |
| Азот (N2) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 2 | 1.5 | 0,2 |
| Кислород (O2) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 1,5(О2+Ар) | 0,5(О2+Ар) | 0.1 |
| Содержание аргона (Ar) (объемная доля)/10-6≤ | 0,05 | ||
| Водород (H2) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 0,5 | 0,2 | 0,05 |
| Содержание оксида углерода (СО) (объемная доля)/10-6≤ | 0,3 | 0.1 | 0,05 |
| Углекислый газ (CO2) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 0,4 | 0.1 | 0,05 |
| Метан (CH4) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 0,3 | 0.1 | 0,05 |
| Вода (Н2O) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
| Содержание ксенона (Xe) (объемная доля)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
| Фторид (CF4) содержание (объемная доля)/10-6≤ | 1 | 0,2 | 0,05 |
Область применения: в основном используется в полупроводниковой промышленности, электровакуумной промышленности, производстве источников электрического света, а также в лазерной газовой промышленности, медицине и других областях.